日本の２つの企業が「六フッ化タングステンの生産を永久に停止する」と海外企業に通知

六フッ化タングステンというのは、半導体製造にきわめて重要なものらしく、わかりやすい説明をしてくれているサイトによると、以下のようなものだそうです。

＞ 六フッ化タングステンは、半導体製造において**「隠れたヒーロー」と称されるほど重要な役割を果たしています。これは、主にタングステン (W) の薄膜を形成するための原料ガス**として利用されるためです。 tm-co.co.jp

生産を永久に停止することを通知したのは、関東電化工業とセントラル硝子の2つの日本企業で、停止の主な理由は「原材料供給の途絶」だそう。

日本は、この原料を中国に依存していたのですが、それがまったく入らないようになったことによるようです。

世界を巻き込んで、かなり厳しい状況が拡大していますね。

以下、投稿です。

DaiWW

関東電化工業とセントラル硝子という2つの日本企業が、サムスン、SKハイニックス、TSMC を含む主要顧客に対し、2026年7月1日から六フッ化タングステンの生産を永久に停止することを正式に通知した。

停止の主な理由は、原材料供給の途絶だ。

六フッ化タングステンの生産コストの 60%から 70%は高純度タングステン粉末に由来しており、日本はこの材料をほぼ完全に中国に依存している。2026年初頭に中国がタングステン輸出規制を強化した結果、日本への高純度タングステン粉末の出荷は実質的にゼロに減少した。

日本企業は在庫を切り崩すことで約5カ月間生産を維持したが、最終的に代替供給源を確保できなかった。

一方、中国の関連メーカーの株価は急騰している。

半導体の微細化と三次元化を支える極めて重要な電子材料である六フッ化タングステン（WF6）のグローバル供給網が、現在、かつてない規模の機能不全に直面している。2026年初頭から続く供給の逼迫は価格の暴騰という形で市場に顕在化しており、業界全体に強い警戒感を引き起こしている。中国国内の市場データによれば、純度99.999%（5N級）のWF6の市場見積もりは、1キログラムあたり1670元から1810元へと上昇した。これは前年同期の523元と比較して232.7%の上昇幅である。さらに、最先端の半導体プロセスで厳格に要求される6N級（99.9999%）の高純度製品は、4月初旬の時点からの数カ月間で190%以上急騰し、現在では1トンあたり220万から300万元で取引されている。一部の極めて品質要求の厳しい7N級の長期契約に至っては、330万から360万元に達している。

この異常な価格高騰の背景には、表面的な需要増や物流の遅延に留まらない、原材料の採掘から最終製品の消費に至るサプライチェーンの全階層を巻き込んだ構造的な供給不足が存在する。WF6は、化学気相成長（CVD）プロセスを用いてシリコンウェーハ上にタングステン金属膜を均一に堆積させるための、現在利用可能な唯一の商用プリカーサ（前駆体）ガスである。半導体の微細な接触孔（コンタクトホール）や、配線層同士を垂直に接続するビアの埋め込み、トランジスタのゲート電極、さらには層間配線の形成において中核的な役割を担っている。モリブデンなど代替材料の研究開発は進められているものの、歩留まりや電気的特性の観点から量産レベルでWF6を完全に置き換える技術は未だ確立されていない。そのため、TSMCやSamsung、SK Hynixといった先端半導体メーカー各社は、製造コストの増大を甘受してでも、この不可欠な特殊ガスを何としてでも確保しなければならないという厳しい状況に追い込まれている。

中国の輸出規制強化と日本メーカーを襲う原材料枯渇

現在のWF6供給危機を決定的に引き起こした直接的な要因は、世界のタングステン粉末供給の80%以上を実質的に独占する中国による、戦略的鉱物に対する輸出管理の強化である。中国政府は2024年以降、国内資源の保護と地政学的な影響力の確保を念頭に、タングステンに関連する品目の輸出管理を段階的に、かつ厳格に強化してきた。タングステン粉末は高度な半導体製造プロセスにおいて必須の材料であると同時に、戦車の装甲貫通弾やミサイル部品、航空宇宙産業の耐熱材料など、防衛産業にも広く利用される典型的なデュアルユース物質である。国際的な技術覇権を巡る対立が先鋭化する中で、タングステンは工業用原材料であると同時に、国家安全保障に直結する戦略物資としての性格を強めている。

この厳格化された輸出規制の直撃を受けたのが、これまで高度な精製技術を武器に世界の高純度WF6供給を牽引してきた日本の化学メーカーである。Kanto Denka（関東電化工業）やCentral Glass（セントラル硝子）など、世界のハイエンドWF6生産能力の約35%を占める日本企業群は、中国からの高純度タングステン粉末の安定的な調達が事実上困難な状況に陥っている。WF6の製造コストの60%から70%をタングステン粉末が占める構造上、原材料の調達難は即座に製品供給の停止危機に直結する。業界の内部報告によると、日本企業は既存の原材料在庫で生産水準を維持できるのは2026年の5月から6月までが限界であり、下半期については正常な供給能力を維持できない旨をSamsungやSK Hynixなどの主要顧客に対して公式に通知したとされる。

日本企業の生産能力は上位企業だけでも年間約2200トンにのぼり、この生産ラインが停止、あるいは大幅に稼働率を落とすことは、世界のWF6供給において年間約2000トンという絶対的な供給ギャップを生み出すことを意味する。日本企業は過去数カ月にわたり、北米やその他の地域からの代替調達ルートを模索してきたが、タングステンという鉱物の地球規模での偏在性と、半導体グレードに要求される不純物管理の厳格さゆえに、中国以外で十分な品質と量を確保することは極めて困難である。結果として、グローバルな半導体サプライチェーンにおいて、日本のWF6メーカーが担ってきた供給責任の一部が強制的に切り離されるという事態が進行している。

先端メモリとAIチップが牽引する爆発的な需要増加

供給側がこれほどまでに深刻なボトルネックに直面している一方で、需要側である半導体市場はかつてない規模でWF6の消費量を拡大させ続けている。その最大の推進力となっているのが、生成AIの急速な普及に伴う高性能AIチップの需要拡大と、それに不可欠な広帯域メモリ（HBM）、そしてストレージの大容量化を支える3D NANDフラッシュメモリの急速な技術進化である。需要の急増は、チップの生産個数の増加と、内部構造の立体化・複雑化が同時に進行していることで引き起こされている。

特に3D NANDフラッシュメモリの製造プロセスにおいては、WF6の消費量が従来の平面型NANDとは比較にならない規模に達している。3D NANDはメモリセルを垂直方向に数百層にわたって積み重ねる三次元構造をとるため、層全体を貫通する極めてアスペクト比の高い複雑なビア構造に対して、タングステンを空隙なく均一に成膜する高度な技術が要求される。製造プロセスにおける積層数が128層から現在主流の300層、さらには次世代の500層以上へと高度化するにつれて、製造における堆積サイクルの回数が指数関数的に増加し、ウェーハ1枚あたりで消費されるWF6の総量は約37倍に跳ね上がると試算されている。

さらに、データセンター向けを主眼とするAIチップ自体も、汎用ロジック半導体に比べて配線層が複雑化しており、約3倍のWF6を消費する構造になっている。例えばSK Hynixは、HBMを含む先端メモリの需要に応えるため、今後5年間でウェーハの生産能力を大幅に拡張させる計画を推進している。新たな先端生産ラインが一つ稼働するごとに、年間150トンから300トンの新規WF6需要が恒常的に発生することになる。現在の半導体産業が追求している微細化と立体化という技術進化の方向性そのものが、WF6の大量消費を前提として組み上げられており、価格が高騰したからといって簡単に消費量を減らすことができない、需要の価格弾力性が極めて低い状態を生み出している。
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